设备名称：PICOSUN原子层沉积系统

设备型号：R200 Advanced

厂 家：PICOSUN

设备编号：16041497

设备分类：薄膜

设备功能简介：

可通过原子层热沉积/等离子生长的方式进行Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、TiO₂、HZO等高k材料、阻变材料及原位电极材料的制备。

设备性能指标：

1、具有六路独立源输入管道：Hf、Zr、Ti、Al、Ta、H₂O；

2、四路进气管道：Ar、N₂、O₂、NH_3；

3、可加工8寸及8寸以下硅片样品；

4、4寸硅片生长重复性及厚度不均匀性不高于±2%；

5、氧化铝的介电常数高于8.0，击穿电场高于9MV/cm；

6、氧化铪的介电常数高于18.0，击穿电场高于3MV/cm；

7、最高温度 500℃。

设备物理位置：

微纳加工中心主超净间104实验室

设备预约方法：

通过清华大学仪器共享服务平台在线预约使用。

工程师联系方式：

曹秉军：62784044-220，caobj@tsinghua.edu.cn

备注：

1、样品不能带有金、银、铜，或者进入加工过金、银、铜的设备腔体。

2、样品上不能有挥发性材料。

3、样品上不能有有机物。

4、样品需清洗干净才可以进入腔体。